来历 ：英飞凌 。英飞官微 。凌新
750V 碳化硅 。代V点MOSFET 。品亮——750V CoolSiC MOSFET车规级和工业级产品，英飞导通电阻规模7mΩ至140mΩ 。凌新
英飞凌750V CoolSiC 碳化硅MOSFET分立器材具有业界抢先的代V点抗寄生导通才能和成熟的栅极氧化层技能 ，可在To 。品亮te 。英飞m Pole 、凌新ANPC 、代V点Vienna整流器和FCC等硬开关拓扑中完成杰出功能 。品亮
此外 ，英飞第二代产品大幅下降输出 。凌新电容 。代V点(Coss) ，使其可以在Cycloconverter 、CLLC 、DAB和LLC等软开关拓扑中以更高开关频率运转。
该产品完美适用于对可靠性 、功率密度和功率有严格要求的使用，包含车载充电器 、 。DC 。-DC 。转换器 。 、DC- 。AC。转换器 ，以及 。AI 。服务器、太阳能 。逆变器 。和电动汽车充电设备 。选用Q-DPAK封装可充分发挥SiC技能固有的快速开关速度，一起保证约20W的功率耗散才能。
产品亮点。
CoolSiC MOSFET 750 V。
稳健的750 V技能 ，经过测验的100%抗雪崩才能 。
鹤立鸡群的RDS(on)x Qfr。
超卓的 RDS(on)x Qoss及 RDS(on)x QG 。
低C 。rs 。s/Ciss和高VGS(th)的共同组合 。
英飞凌专有裸片接合技能 。
供给驱动源引脚 。
要害特性 。
插件和贴片封装 。
集成开尔文源极 。
车规级器材契合AEC-Q101 。认证。规范 ，工业级器材经过JEDEC认证 。
高度细分的产品组合 ：导通电阻规模8mΩ至140mΩ ，支撑多种封装标准 。
Q-DPAK顶部散热封装。
顶部散热（TSC）器材是外表贴装功率器材，焊接在印刷电路板（ 。PCB 。）上。半导体。芯片发生的热量经过封装顶部传导至衔接的散热器 。TSC功率封装是改进热功能和 。电气 。功能的解决方案 。这类封装还有助于进步功率密度并下降制作难度 。
车规级MOSFET 。
“ 。Ti。ny Power Box”项目由英飞凌与奥地利硅实验室（Silicon Austria Labs）联合开发，选用全英飞凌CoolSiC 解决方案 ，打造了一款紧凑型单相7千瓦车载充电器 。