C™碳化硅领跑全职业新品发布， 性能指标h™精彩回忆一 C

近来，™CoolSiC™英飞凌。精彩在上海举行的回忆2025 OktoberTech大中华区生态立异峰会
。在上海顺畅落下帷幕
。碳化本次活动中，硅新英飞凌推出多款CoolSiC碳化硅重磅新产品 ，品发跑全凭仗杰出的布性标领功能指标和立异封装规划，持续全面领跑 。职业半导体。™CoolSiC™职业 ，精彩为 。回忆电力电子 。碳化体系的硅新高效、牢靠运转供给了强有力的品发跑全支撑。

CoolSiC。布性标领 MOSFET 
。G2 1200V
：

业界最低开关损耗。

TO – 247以及QDPAK封装的1200V CoolSiC MOSFET G2系列，开关损耗到达了业界最低水平。一起，门级瞬态电压规模扩展至 - 10 ~ 25V，使得器材可以更好地应对复杂多变的电路环境
。200°C的短时过载结温以及2微秒的短路才能
，进一步增强了器材在恶劣工况下的耐受才能 ，保证了设备在极点条件下的安全运转。

CoolSiC MOSFET G2 1400V：

习惯更高母线电压 。

1400V CoolSiC MOSFET G2系列的TO - 247以及TO - 247 Plus Reflow封装 ，面临高母线电压使用进行了优化规划 ，可以轻松习惯母线电压大于1000V的场景 ，该系列产品的功率管脚加粗至2mm ，使得器材可以接受更大的。电流。，背板回流焊的规划 ，打气了产品的牢靠性，为。高压。电力电子体系供给了牢靠的解决方案。

CoolSiC。 Diode 。G5 1200V & 2000V：

业界最大电流 。

CoolSiC Diode G5 1200V以及2000V系列产品，完成了业界最大电流输出
。其间，1200V产品可供给高达150A的电流，2000V产品则能到达80A的电流输出才能  ，更好地满意了高功率使用场景对大电流的需求。.XT分散焊立异技能不只简化了拓扑结构，还明显提高了功率密度
，为设备的小型化和轻量化规划供给了或许。

CoolSiC MOSFET G2 Easy 1200V 。

碳化硅模块：全新封装 ，业界首发 。

业界首发的1200V CoolSiC MOSFET G2 Easy模块选用全新封装完成更低的功率损耗，一起，具有更高的勤奋好学虚拟结温  ，支撑更长的体系寿数要求 ，为设备在恶劣环境下的长时间安稳运转供给了有力保证 。

CoolSiC XHP 2 2.3kV/3.3kV。

碳化硅模块：全球首款。

CoolSiC XHP 2 2.3kV和3.3kV碳化硅模块作为全球首款高电压碳化硅模块产品，集成体 。二极管
。，选用XHP 2立异封装和.XT银烧结技能，完成了10倍的功率密度打气、10倍的牢靠功能加强
，以及10倍的节能降耗明显效果，为高压 、大功率使用场景供给了更高效、更牢靠的解决方案 ，将推进轨道交通、可再生能源等范畴的开展迈向新的高度。

CIPOS Maxi 1200V。

碳化硅 。智能。功率模块 。：全球首款 。

CIPOS Maxi 1200V全碳化硅高功能车规智能功率模块作为全球首款车规级同类产品，集成车规级1200V CoolSiC MOSFET G2和1200V C5SOI驱动IC，功率输出高达12kW以上 。一起 ，该模块经过AQG324 / AEC-Q。认证。，牢靠性获威望认可
，为轿车电力电子体系供给更高效、更牢靠的解决方案 。